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干燥設(shè)備,微波干燥設(shè)備,微波真空干燥設(shè)備,微波干燥配件,磁控管

1000度高溫多晶硅微波干燥設(shè)備

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    多晶硅微波干燥設(shè)備,,廣泛適用半導(dǎo)體多晶硅干燥,。

    多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài),。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時,,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,,則這些晶粒結(jié)合起來,,就結(jié)晶成多晶硅。利用價值:從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅,、多晶硅,、帶狀硅,、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)

    1,、油脂:在多晶硅生產(chǎn)過程中,,油分子對多晶硅的危害十分嚴(yán)重。實(shí)際證明,,整個工藝系統(tǒng)幾ppm的油含量就可能造成多晶硅反應(yīng)速度減慢,,產(chǎn)量降低,甚至硅反應(yīng)停止,。因此,,多晶硅設(shè)備的脫脂工藝尤為重要。

    2,、水分:水中含有大量的氯離子,,氯離子對多晶硅的反應(yīng)十分敏感。設(shè)備及系統(tǒng)干燥工藝很關(guān)鍵,。

    3,、氯離子殘留:水和其他溶液在設(shè)備表面殘留的氯離子對多晶硅影響十分大。因此,,在清洗后對設(shè)備進(jìn)行純水沖洗工藝十分重要,。

    4、氧化物,、灰塵其他雜質(zhì):其他污垢的存在,,對多晶硅的生產(chǎn)影響也很大。因此,,在設(shè)備清洗過程中,,采用酸洗工藝對其他污垢進(jìn)行清洗十分必要。

    多晶硅加工生產(chǎn)中,,關(guān)見的是用純水清洗,,干燥。恰恰微波設(shè)備能滿足要求,,加熱速度快,,脫水快??梢蕴岣咝?,是電加熱干燥的幾十倍,沒有二次污染,,可以保證多晶硅的純度,有利于后續(xù)加工質(zhì)量保證,。微波干燥設(shè)備為了滿足多晶硅高溫干燥,,輸送帶選用了耐1000度高溫的材料,,保證了干燥順利完成。
    微波干燥設(shè)備整體外形結(jié)構(gòu)緊湊,、美觀,、流暢,占地面積小,。針對該物料的物理特性,,設(shè)計合理的箱體尺寸,使加熱器內(nèi)微波功率密度均勻,,微波自上而下寬帶饋入,,使物料加熱更加均勻。采用全新的微波烘干技術(shù)與設(shè)備,。能夠?qū)崿F(xiàn)物料的無污染和均勻干燥,,同時可大幅降低干燥溫度,此外干燥速度通常提高數(shù)倍以上,,生產(chǎn)效率大幅提高,,干燥能耗通常降低50%以上,終實(shí)現(xiàn)安全潔凈高效生產(chǎn),。

    微波干燥特點(diǎn)和機(jī)理不同于一般的干燥技術(shù),,概括起來有以下特點(diǎn):

    1) 微波干燥過程中的干燥層首先在物料內(nèi)部形成, 然后由里層向外擴(kuò)展,。原因是物料在微波條件下內(nèi)外同時受熱,,內(nèi)部溫度高于外部,水蒸氣由內(nèi)向表層排出,,物料內(nèi)部先形成干燥層,;常規(guī)加熱容易在物料外部先形成一層干燥硬殼, 這不僅會影響物料的品質(zhì)和外觀,,還會降低干燥速度,。而微波干燥從根本上避免了以上情況的發(fā)生。

    2) 微波干燥節(jié)能,。用遠(yuǎn)紅外線和蒸汽能源進(jìn)行干燥,,其能源利用率不足50%,而用微波作為能源的利用率可達(dá)75%以上,,比遠(yuǎn)紅外和蒸氣干燥能耗降低25%以上,。

    采用;獨(dú)有的微波源及其控制技術(shù),確保微波源系統(tǒng)在各種復(fù)雜環(huán)境下長期連續(xù)穩(wěn)定工作,,其中磁控管的正常使用壽命≥1年,;

    采用按標(biāo)準(zhǔn)特制的高效微波傳輸系統(tǒng),對物料進(jìn)行均勻饋能,,確保物料干燥均勻,,有效避免物料局部溫度過高的現(xiàn)象,;

    采用獨(dú)創(chuàng)的數(shù)理模型,結(jié)合干燥工藝要求進(jìn)行科學(xué)的腔體設(shè)計,,確保脫水效率,,同時避

    免腔體內(nèi)“熱點(diǎn)”、“打火”,、“濺料”,、“燒帶”等不良現(xiàn)象的發(fā)生;

    主要性能及技術(shù)參數(shù)

    根據(jù)客戶需要量身訂制;

    控制傳輸帶工作溫度≤200oC;

    微波頻率:2.45GHz±25MHz;

    觸摸屏顯示,、控制,,具自動、手動雙重操作功能;

    采用紅外濕度測量儀,,對加熱箱內(nèi)部溫,、濕度進(jìn)行測定,并實(shí)現(xiàn)全程控制;

    微波泄漏量:<2mw>


    1,、 輸入電源:三相五線380V±10% 50Hz±1%
    2,、微波輸出功率:48kW(可調(diào))
    3、微波頻率:2450MHz±50Hz
    4,、額定輸入視在功率:≤69kVA
    5,、進(jìn)出料口高度:50mm
    6、傳輸帶寬度:500mm
    7,、傳輸速度:0.1~5m/min
    8,、外形尺寸(長×寬×高):約12700×665×1668mm
    9、工作環(huán)境:0~40℃,、相對濕度≤80%
    10,、微波箱體數(shù)量:8個箱體
    11、符合GB 10436-1989作業(yè)場所微波輻射衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)
    13,、符合GB/5226.1-2002機(jī)械安全 機(jī)械電氣設(shè)備


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    微波功率

    KW

    脫水能力

    KG/H

    視在功率

    KVA

    傳送帶寬度MM

    微波加熱箱體數(shù)量

    外型尺寸

    MM

    SDG-12

    12

    6-12

    17

    500

    3

    7200×665×1668

    2,、

    SDG-20

    20

    10-20

    28

    500

    4

    8300×665×1668

    3、

    SDG-30

    30

    15-30

    43

    500

    6

    10500×665×1668

    4,、

    SDG-40

    40

    20-40

    57

    500

    8

    12700×665×1668

    5,、

    SDG-50

    50

    25-50

    72

    1000

    5

    9400×1700×1668

    6、

    SDG-60

    60

    30-60

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